NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND)，用于確定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。它可以分為SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我們具體了解一下。

SLC

SLC(Single-Level Cell，單層單元)SSD在每個單元中存儲一個Bit，這種設計提高了耐久性、準確性和性能。對于企業的關鍵應用程序和存儲服務，SLC是首選的閃存技術。當然，它的價格最高。

MLC

考慮到閃存的消費級特性，MLC(Multi-Level Cell，多層單元)架構可以為每個單元存儲2個Bit。盡管在存儲單元中存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。相對而言，MLC SSD使得在PC和筆記本電腦上增加閃存成為可能。

eMLC

eMLC(Enterprise Multi-Level Cell，企業多級單元)是MLC NAND 閃存的一個“增強型”的版本，它在一定程度上彌補了SLC和MLC之間的性能和耐久差距。eMLC驅動器比MLC驅動器貴，但比SLC驅動器便宜得多。盡管每個單元仍然存儲2個Bit，但eMLC驅動器的控制器管理數據放置、磨損均衡和一些其他存儲操作延長了eMLC SSD的使用壽命。

TLC

相較于SLC和MLC的Nand閃存，最便宜的是TLC(Triple-Level Cell，三層單元)NAND閃存，每個單元存儲3Bit。通常用于性能和耐久性要求相對較低的電子產品，最適合于包含大量讀取操作的應用程序，但是隨著閃存體系結構的最新改進，3D TLC NAND Flash對持久增強的數據放置和錯誤糾正技術，使該技術在讀密集型企業存儲應用程序和工業存儲環境中開始了批量使用。

總結

每種類型的NAND閃存都有不同的使用壽命，這意味著它會在SSD降級并最終失效之前提供有限數量的P/E周期。當然，除了制造缺陷，電力激增或其他災難性的破壞可能導致SSD的失效，這是決定SSD支持的存儲工作負載和應用程序類型的主要影響因素。