上次討論的是影響固態硬盤速度的主控方面，今天來看閃存芯片，同樣地，我們只關心與速度相關的部分。

閃存的制程：

閃存核心用晶元光刻加工而成，制程指的就是光刻的工藝，即布線的寬度，上次舉例的SM2246所支持的制程為：1x / 1y / 2x /2 y / 3x 單位是nm，大約是15nm-40nm的這個范圍，也是目前的主流制程。容易理解的，制程越小，工藝越先進，單個閃存模組的速度就越快。這是決定速度的第三個主要因素。[速度基礎原則]

閃存芯片以封裝來區分，大體只有兩種：TSOP 和 BGA：

TSOP，全稱Thin Small Outline Package，意思是薄型小尺寸封裝，見下圖：

Agrade SATA SSD ST40 采用 TSOP封裝 東芝 TC58TFG7DDLTA0D 16GB MLC 閃存

簡單地區分，TSOP封裝兩側有金屬引腳，從外觀上來看，與BGA封裝區別很大。

TSOP封裝的閃存芯片僅包括一個模組，只支持一個通道。另外，TSOP封裝的閃存芯片可能包括1-4個閃存核心(管芯)，也就是1-4個CE。

BGA，全稱Ball Grid Array，中文解釋是焊球陣列封裝：

Agrade SATA SSD ST50 采用 BGA封裝 Intel 29F01T08OCMFP 128GB MLC 閃存

BGA封裝閃存，金屬引腳全部在芯片下方，以錫球的方式呈現。

BGA閃存都包括兩個模組，支持兩個通道；同樣地，它的每一個模組可能包括1-4閃存核心，總共2-8個閃存核心(管芯)，也就是2-8個CE。事實上，我們完全可以看成一個BGA閃存等于2個TSOP閃存封裝在了一起。

閃存結構上(每一模組，即每一通道)通過8條 命令 / 地址 / 數據 復用總線與主控連接，當然，絕大多數時間內，這8條數據總線用于傳輸數據。如上圖中的縱向。

每一核心(管芯)，即每一個CE通過一條 CE 命令線與主控連接，主控的每個通道中，只有一個激活的CE命令，即只有一個閃存核心處于工作狀態。如上圖中的橫向。

固態硬盤總容量 = 單個閃存芯片的容量 x 芯片個數

總通道數=單個閃存芯片通道數 x 芯片個數//如超過主控最多支持的通道數，剛平均分配到每個通道，通道數以主控支持的最大通道為準

CE數量=單個閃存芯片CE數 x 芯片個數 //超過主控最多支持CE數的那部分，則不被識別，即無法使用

通過以上討論，我們總結一下，

首先是，制程決定了閃存模組本身的速度，這是固態硬盤速度的基礎。[速度基礎原則]

其次是，閃存模組與主控的連接通道，多通道可以達成速度倍增。[通道倍增原則]

最后是，接口速度的限制，無論固態硬盤內部的速度有多快，其與電腦交換的數據必然會低于接口的實際最高傳輸速度。[接口限制原則]

固態硬盤的速度 = 閃存基礎速度 x 通道數量 < 接口實際上限

后面，我們將通過實例來做出驗證。

PS:  

1、閃存核心，正式名稱是管芯，閃存核心=閃存管芯。第一核心/管芯，只有也必須有一個CE，二者數量絕對相等，所以很多時候我們把核心/管芯和CE混合使用。

2、每一閃存模組，有且必須有一個通道，二者數量絕對相等，所以TSOP閃存支持1通道，BGA閃存可以視為2片TSOP封裝在一起，所以支持2通道。