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transcend/創見 MTE652T & MTE652T-I

創見MTE652T固態硬盤搭載PCIe Gen 3 x4接口，符合最新NVMe 1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3D NAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3D NAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE652T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

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外觀
尺寸	80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2規格	2280-D2-M (雙面的)
外觀尺寸	M.2 2280
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen3 x4
存儲
容量	64 GB/ 128 GB/ 256 GB/ 512 GB
Flash類型	3D閃存
操作環境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	標準 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	3.0 瓦
耗電量 (IDLE)	0.6 瓦
效能
連續讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達 2,100 MB/s 寫入: 高達 1,250 MB/s
4K隨機讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達 190,000 IOPS 寫入: 高達 290,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達 1,080 TBW
每日全盤寫入次數(DWPD)	2 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統效能（硬件、軟件、使用方式、產品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負載可能與實際工作負載不同，實際工作負載可能因（硬件、軟件、使用情況、產品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數值以該系列產品最高容量為主。