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宜鼎內(nèi)存條DDR3 ECC UDIMM VLP

DDR3 ECC UDIMM VLP 是個(gè)工業(yè)用內(nèi)存模塊，提供持久的性能，并專為服務(wù)器及網(wǎng)通市場(chǎng)所設(shè)計(jì)。此模塊具備30μ”金手指，并包含單一位糾錯(cuò)。提供2GB、4GB及8GB的容量，并支持1333MT/s、1600MT/s及1866MT/s的傳輸速度。VLP模塊高度低于1.18英寸，特別適用于1U系統(tǒng)，像是刀鋒服務(wù)器數(shù)據(jù)中心。這些模塊的設(shè)計(jì)，優(yōu)化了精巧系統(tǒng)內(nèi)的空氣流動(dòng)，減少熱沖擊。ECC模塊可偵測(cè)及糾正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及傳輸過程中的單一位錯(cuò)誤；并采用漢明碼(Hamming Code)或三模塊化冗余(Triple Modular Redundancy)進(jìn)行錯(cuò)誤偵測(cè)及糾正，可自行管理糾錯(cuò)，無(wú)須要求數(shù)據(jù)源重新發(fā)送原始資料。

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規(guī)格：

Interface	DDR3
Form Factor	ECC UDIMM VLP
Data Rate	1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity	2GB, 4GB, 8GB
Function	ECC Unbuffered Memory
Pin Number	240pin
Width	72Bits
Voltage	1.5V, 1.35V
PCB Height	0.738 Inches
Operating Temperature	0°C to 85°C
Anti-Sulfuration	Y

產(chǎn)品料號(hào)：

Density	Component Composition	Part Number	Rank	Voltage	Description
2GB	256Mx8	M3C0-2GSJ4CQE	1Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
2GB	256Mx8	M3C0-4GSJ5CQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB	256Mx8	M3C0-4GMJ5CQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB	512Mx8	M3C0-4GSS4CQE	1Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB	512Mx8	M3C0-4GMS4CQE	1Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
8GB	512Mx8	M3C0-8GSS5CQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
8GB	512Mx8	M3C0-8GMS5CQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 ECC UDIMM VLP