在2014年底，各大廠商就紛紛推出DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，頻率也一度飆升到4300MHz大關(guān)。但是由于昂貴的主板和CPU讓很多消費(fèi)者無法承受。大家必然會過渡到DDR4，究竟DDR4和DDR3有什么不同呢？

外形差異

首先，DDR4的針腳數(shù)增加到了284個(gè)，DDR3是240個(gè)，由于內(nèi)存整體長度不變，所以相鄰針腳之間的距離從1.00毫米減到了0.85毫，而每個(gè)針腳本身的寬度為0.60±0.03毫米。

另外一個(gè)明顯差別是DDR4內(nèi)存底部金手指不再是直的，而是呈彎曲狀。從左側(cè)數(shù)，第35針開始邊長，到第47針達(dá)到最長，然后從第105針開始縮短，到第117針回到最短。

最后是接口位置也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央，這樣做的目的就是防止用戶差錯(cuò)內(nèi)存，歷代產(chǎn)品升級均如此。

容量和電壓差異

DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。

而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。

性能差異

DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

相比DDR3內(nèi)存多點(diǎn)分支總線連接方式，DDR4內(nèi)存轉(zhuǎn)而采用點(diǎn)對點(diǎn)總線。相比之下，點(diǎn)對點(diǎn)相當(dāng)于一條主管道只對應(yīng)一個(gè)注水管，大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)、更容易達(dá)到更高的頻率。另外，3DS封裝技術(shù)不斷擴(kuò)增DDR4容量，可以很輕松的提升系統(tǒng)內(nèi)存總量，這樣即便每通道只能支持一根內(nèi)存也不會有問題。

過渡到DDR4時(shí)代已經(jīng)是不可阻擋的趨勢，但是每次更新?lián)Q代都是很痛苦的，這取決于內(nèi)存廠商、CPU和主板的同心協(xié)力。通過講解能夠很清晰的看到DDR4內(nèi)存的各種優(yōu)勢，現(xiàn)在唯一遺憾就是價(jià)格太貴。不過隨著臺北展新品CPU和主板的發(fā)布，相信DDR4時(shí)代很快就會來臨。